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TPD65R950M

Multi-EPI超结功率MOSFET

紫光国微

65R950

5A竊?50V N-CHANNEL MOSFET

文件:558.06 Kbytes 页数:6 Pages

KIA

可易亚半导体

IIPD65R950CFD

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.89 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD65R950CFD

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.16379 Mbytes 页数:15 Pages

Infineon

英飞凌

技术参数

  • BVdss(V):

    700

  • ID(A) Tc=25℃:

    4.5

  • Vth(V)_min:

    2.5

  • Vth(V)_max:

    4

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_typ:

    0.83

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_max:

    0.95

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TPD65R950M供应商 更新时间2025-12-18 15:01:00