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TPD65R600M中文资料Multi-EPI超结功率MOSFET数据手册规格书

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厂商型号

TPD65R600M

功能描述

Multi-EPI超结功率MOSFET

制造商

Wuxi Unigroup Microelectronics Company

中文名称

紫光国微 紫光国芯微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :TPD65R600M

  • BVdss(V)

    :650

  • ID(A) Tc=25℃

    :7

  • Vth(V)_min

    :2.5

  • Vth(V)_max

    :4

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_typ

    :0.53

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_max

    :0.6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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