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TPD60R580C中文资料超结功率 MOSFET数据手册规格书
技术参数
- 制造商编号
：TPD60R580C
- BVdss(V)
：600
- ID(A) Tc=25℃
：7
- Vth(V)_min
：2.5
- Vth(V)_max
：4
- Rdson(Ω)Vgs=10V_typ
：0.5
- Rdson(Ω)Vgs=10V_max
：0.58
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
UMIGROP |
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