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TPD60R350C中文资料超结功率 MOSFET数据手册规格书

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厂商型号

TPD60R350C

功能描述

超结功率 MOSFET

制造商

Wuxi Unigroup Microelectronics Company

中文名称

紫光国微 紫光国芯微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-11-19 11:26:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :TPD60R350C

  • BVdss(V)

    :600

  • ID(A) Tc=25℃

    :11

  • Vth(V)_min

    :2.5

  • Vth(V)_max

    :4

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_typ

    :0.3

  • Rdson(Ω)Vgs=10V_max

    :0.35

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