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TPD50R500C	文件：1.28328 Mbytes Page：12 Pages	Marking：50R500C；Package：TO-252；500V Super-Junction Power MOSFET	WUMCWuxi Unigroup Microelectronics Company 紫光国微紫光国芯微电子股份有限公司	WUMC
IIPD50R500CE	文件：335.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤500mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA50R500CE	文件：260.54 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPA50R500CE	文件：879.43 Kbytes Page：20 Pages	500VSuperjunctionMOSFETforConsumerandLightingApplications 500VCoolMOS™CEPowerMOSFET TheCoolMOS™CEisanewtechnologyplatformofInfineon’smarketleadinghighvoltagepowerMOSFETsdesignedaccordingtotherevolutionarysuperjunction(SJ)principle. 500VCEportfolioprovidesallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenotsacrificingeas	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA50R500CE	文件：1.38164 Mbytes Page：14 Pages	500VCoolMOS™CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA50R500CE	文件：1.16499 Mbytes Page：2 Pages	500VCoolMOS??CEPowerMOSFET 500VCoolMOS™CEPowerMOSFET TheCoolMOS™CEisanewtechnologyplatformofInfineon’smarketleadinghighvoltagepowerMOSFETsdesignedaccordingtotherevolutionarysuperjunction(SJ)principle. 500VCEportfolioprovidesallbenefitsofafastswitchingSJMOSFETwhilenotsacrificingeas	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPA50R500CE	文件：950.19 Kbytes Page：13 Pages	500VCoolMOS짧CEPowerTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPAN50R500CE	文件：315.96 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPAN50R500CE	文件：1.20083 Mbytes Page：13 Pages	500VCoolMOS짧CEPowerTransistor Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRdson*QgandEoss •Veryhighcommutationruggedness •Easytouse/drive •Pb-freeplating,Halogenfreemoldcompound •Qualifiedforstandardgradeapplications	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPD50R500CE	文件：335.3 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Fastswitching •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤500mΩ •Enhancementmode: •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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