TPD2EUSB30A中文资料适用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌额定值的双路 0.7pF、3.6V、±8kV ESD 保护二极管数据手册TI规格书

描述 Description

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准（接触式）规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5（浪涌）规范，这类器件还可提供 5A (8/20µs) 的峰值脉冲电流额定值。

TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻，TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。

TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。

特性 Features

• 支持 USB 3.0 数据速率 (5Gbps)
• IEC 61000-4-5 浪涌保护
• 低电容
• DQA：0.8pF（典型值）
• 动态电阻：0.6Ω（典型值）
• 直通引脚映射

简介

TPD2EUSB30A属于电路保护的TVS-二极管。由TI制造生产的TPD2EUSB30ATVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件，可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管（只能单向导电的元器件）进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor（瞬态电压抑制/抑制器）的首字母缩写。类型包括转向（轨至轨）或齐纳，具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。