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TPD2EUSB30数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

TPD2EUSB30

参数属性

TPD2EUSB30 封装/外壳为3-SMD,SOT-23-3 变式;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为电路保护的TVS-二极管;TPD2EUSB30应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 5.5VWM 8VC SOT9X3

功能描述

适用于 USB 3.0 且具有 5A 浪涌额定值的双路 0.7pF、5.5V ±8kV ESD 保护二极管

封装外壳

3-SMD,SOT-23-3 变式

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-10 10:30:00

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TPD2EUSB30规格书详情

描述 Description

TPD2EUSB30、TPD2EUSB30A 和 TPD4EUSB30 是基于 2 通道和 4 通道瞬态电压抑制器 (TVS) 的静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。TPDxEUSB30/A 器件的额定 ESD 冲击消散值达到了 IEC 61000-4-2 国际标准(接触式)规定的最高水平。根据 IEC 61000-4-5(浪涌)规范,这类器件还可提供 5A (8/20µs) 的峰值脉冲电流额定值。

TPD2EUSB30A 具有 4.5V 的低直流击穿电压。凭借低电容、低击穿电压和低动态电阻,TPD2EUSB30A 器件可为高速差分 IO 提供出色的保护。

TPD2EUSB30 和 TPD2EUSB30A 可采用节省空间的 DRT (1mm × 1mm) 封装。TPD4EUSB30 可采用节省空间的 DQA (2.5mm × 1.0mm) 封装。

特性 Features

• 支持 USB 3.0 数据速率 (5Gbps)
• IEC 61000-4-2 ESD 保护(4 级接触式)
• IEC 61000-4-5 浪涌保护
• 5A (8/20µs)

• 低电容
• DRT:0.7pF(典型值)
• DQA:0.8pF(典型值)

• 动态电阻:0.6Ω(典型值)
• 节省空间的 DRT、DQA 封装
• 直通引脚映射

技术参数

  • 制造商编号

    :TPD2EUSB30

  • 生产厂家

    :TI

  • IO capacitance (Typ) (pF)

    :0.7

  • Vrwm (V)

    :5.5

  • IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)

    :8

  • IEC 61000-4-5 (A)

    :5

  • Features

    :—

  • Bi-/uni-directional

    :Uni-Directional

  • IO leakage current (Max) (nA)

    :100

  • Rating

    :Catalog

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 85

  • Dynamic resistance (Typ) (Ω)

    :0.6

  • Clamping voltage (V)

    :8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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