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TPD1E0B04数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF

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厂商型号

TPD1E0B04

参数属性

TPD1E0B04 封装/外壳为0201(0603 公制);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护的TVS-二极管;TPD1E0B04应用范围:RF 天线;产品描述:TVS DIODE 3.6VWM 10.1VC 2X2SON

功能描述

适用于 USB-C 和天线且采用 0402 和 0201 封装的 0.13pF、±3.6V、±8kV ESD 保护二极管

封装外壳

0201(0603 公制)

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:21:00

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TPD1E0B04规格书详情

描述 Description

TPD1E0B04 是一款双向瞬态电压抑制器 (TVS) ESD 保护二极管阵列,用于为 USB Type-C 和 Thunderbolt 3 电路提供保护。TPD1E0B04 的额定 ESD 冲击消散值等于 IEC 61000-4-2(4 级)国际标准中规定的最高水平。 此器件 特有 一个 0.13pF IO 电容(每通道),适合于保护速率高达 20Gbps 的高速接口,例如 USB 3.1 Gen2、Thunderbolt 3 以及天线接口。低动态电阻和低钳位电压可针对瞬变事件提供系统级保护。TPD1E0B04 采用符合行业标准的 0201 (DPL) 封装。

特性 Features

• IEC 61000-4-2 4 级(接触)静态放电 (ESD) 保护
• ±8kV 接触放电
• ±9kV 气隙放电

• IEC 61000-4-4 瞬态放电 (EFT) 保护
• 80A (5/50ns)

• IEC 61000-4-5 浪涌保护
• 1.7A (8/20µs)

• IO 电容:0.13pF(典型值),0.15pF(最大值)
• 直流击穿电压:6.7V(典型值)
• 超低泄漏电流:10nA(最大值)
• 低 ESD 钳位电压
• 支持速率最高达 20Gbps 的高速接口
• 低插入损耗:大于 30GHz(–3dB 带宽)
• 工业温度范围:-40°C 至 +125°C
• 超小型 0201 封装

应用 Application

终端设备便携式计算机和台式机
手机和平板电脑
机顶盒
电视和监视器
USB软件狗
扩展坞

技术参数

  • 制造商编号

    :TPD1E0B04

  • 生产厂家

    :TI

  • IO capacitance (Typ) (pF)

    :0.13

  • Vrwm (V)

    :3.6

  • IEC 61000-4-2 contact (+/- kV)

    :8

  • IEC 61000-4-5 (A)

    :1.7

  • Features

    :—

  • Bi-/uni-directional

    :Bi-Directional

  • IO leakage current (Max) (nA)

    :10

  • Rating

    :Catalog

  • Operating temperature range (C)

    :-40 to 125

  • Dynamic resistance (Typ) (Ω)

    :1

  • Clamping voltage (V)

    :7.2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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