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VIT1045C	文件：132.1 Kbytes Page：5 Pages	DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT1045C	文件：124.87 Kbytes Page：5 Pages	DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT1045C	文件：134.92 Kbytes Page：6 Pages	DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT1045C	文件：142.6 Kbytes Page：5 Pages	DualLow-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VIT1045CBP	文件：135.72 Kbytes Page：5 Pages	TrenchMOSBarrierSchottkyRectifierforPVSolarCellBypassProtection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBR1045PBF	文件：154.78 Kbytes Page：7 Pages	ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC DESCRIPTION ThisSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andrevers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBR1045PbF	文件：158.46 Kbytes Page：7 Pages	Highfrequencyoperation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBRB1045PBF	文件：119.22 Kbytes Page：7 Pages	HighPerformanceSchottkyRectifier,10A FEATURES •150°CTJoperation •TO-220andD2PAKpackages •Lowforwardvoltagedrop •Highfrequencyoperation •Highpurity,hightemperatureepoxy encapsulationforenhancedmechanical strengthandmoistureresistance •Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability •M	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MBRB1045PBF	文件：147.21 Kbytes Page：8 Pages	SchottkyRectifier DESCRIPTION ThisSchottkyrectifierhasbeenoptimizedforlowreverseleakageathightemperature.Theproprietarybarriertechnologyallowsforreliableoperationupto150°Cjunctiontemperature.Typicalapplicationsareinswitchingpowersupplies,converters,freewheelingdiodes,andrevers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-STPS1045BPBF	文件：140.47 Kbytes Page：7 Pages	HighPerformanceSchottkyRectifier,10A FEATURES •PopularD-PAKoutline •Smallfootprint,surfacemountable •Lowforwardvoltagedrop •Highfrequencyoperation •Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof 260°C •Materialcategorization:fordefiniti	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

技术参数

Drain-Source ON Resistance (Max)：
0.1 Ω
Protective Function Over Temperature (Min)：
150 ℃
Protective Function Over Temperature (Typ.)：
170 ℃
Drain-source clamp voltage (Min)：
50 V

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