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TPCP8J01	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8J01	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (P-ch single); Drain current ID -5.5 A \nPower Dissipation PD 2.14 W \nDrain-Source voltage VDSS -32 V \n; Application Scope：Mobile equipments / Notebook PCs\nPolarity：P-ch + NPN\nGeneration：U-MOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 马来西亚\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
TPCP8J01	文件：189.2 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8J01	文件：311.57 Kbytes Page：9 Pages	TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8J01_07	文件：311.57 Kbytes Page：9 Pages	TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

型号：
TPCP8J01
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type(U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type

更多TPCP8J01供应商更新时间2025-7-29 16:04:00