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TPCP8J01	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCP8J01	文件：189.2 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type 文件：189.2 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCP8J01	文件：311.57 Kbytes Page：9 Pages	TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type 文件：311.57 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCP8J01	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (P-ch single) Application Scope：Mobile equipments / Notebook PCs\nPolarity：P-ch + NPN\nGeneration：U-MOSⅣ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 马来西亚 Drain current ID -5.5 A \nPower Dissipation PD 2.14 W \nDrain-Source voltage VDSS -32 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TPCP8J01_07	文件：311.57 Kbytes Page：9 Pages	TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type (U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type 文件：311.57 Kbytes 页数：9 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

型号：
TPCP8J01
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Multi-chip Device Silicon P Channel MOS Type(U-MOSIV) /Silicon NPN Epitaxial Type

更多TPCP8J01供应商更新时间2026-1-24 16:04:00