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TPCP8H02	文件：249.35 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type STROBE FLASH APPLICATIONS HIGH-SPEED SWITCHING APPLICATIONS DC-DC CONVERTER APPLICATIONS • Multi-chip discrete device; built-in NPN transistor for main switch and N-ch MOS FET for drive • High DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC = 0.3 A) (NPN transistor) • Low collector-emitter saturation v 文件：249.35 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCP8H02	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	丝印：8H02；Package：PS-18；Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
TPCP8H02	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power transistor for high-speed switching applications Application Scope：Camera flashes / DC/DC converters / High-speed switching\nPolarity：NPN + SMOS\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 Collector Current (Q1) IC 3 A \nCollector Current (Q1) ICP 5 A \nCollector power dissipation (Q1/Q2) (mounted on FR4 board (Cu 645mm**2, glass-epoxy t=1.6mm)) PC 2 W \nCollector-emitter voltage (Q1) VCEO 30 V \nDrain-Source voltage (Q2) VDSS 20 V ;	Toshiba 东芝	Toshiba
TAR8H02K	文件：167.91 Kbytes Page：8 Pages	Dual Low-Dropout Regulator 文件：167.91 Kbytes 页数：8 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

技术参数

Polarity：
NPN + SMOS
Internal Connection：
Independent
Features：
Low Satulation Voltage
VCEO(Max)(V)：
30
IC(Max)(A)：
3
hFE(Min)：
250
hFE(Max)：
400
VCE(sat)(Max)(V)：
0.14
Number of pins：
8
Surface mount package：
Y
Package name：
PS-8
Width×Length×Height(mm)：
2.9 x 2.8 x 0.8

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更多TPCP8H02供应商更新时间2026-1-18 11:03:00

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