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TPCP8F01	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8F01	文件：248.8 Kbytes Page：8 Pages	TOSHIBAMulti-chipDeviceSiliconPNPEpitaxialTransistor,FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType ○SwtchingApplications ○LoadSwitchApplications ○Multi-chipdiscretedevice;built-inPNPTransistorformainswitchandN-chMOSFETfordrive •HighDCcurrentgain:hFE=200to500(IC=−0.5A) (PNPTransistor) •Lowcollector-em	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TPCP8F01

文件：1.58274 Mbytes

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TPCP8F01

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TOSHIBAMulti-chipDeviceSiliconPNPEpitaxialTransistor,FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

○SwtchingApplications ○LoadSwitchApplications ○Multi-chipdiscretedevice;built-inPNPTransistorformainswitchandN-chMOSFETfordrive •HighDCcurrentgain:hFE=200to500(IC=−0.5A) (PNPTransistor) •Lowcollector-em

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
TPCP8F01(TE85L,F)
功能描述：
MOSFET Transistr PNP 30V 3A MOSFET Nch 20V .1A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TPCP8F01(TE85L,F)供应商更新时间2025-5-11 8:24:00

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