TPCP8701分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
TPCP8701 |
| 参数属性 | TPCP8701 封装/外壳为8-SMD，扁平引线；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-阵列；产品描述：X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| 功能描述 | TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type |
| 封装外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 文件大小 |
217.55 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-28 23:00:00 |
| 人工找货 | TPCP8701价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
TPCP8701规格书详情
Portable Equipment Applications
Switching Applications
Inverter Lighting Applications
• Small footprint due to small and thin package
• High DC current gain : hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A)
• Low collector-emitter saturation : VCE (sat) = 0.14 V (max)
• High-speed switching : tf = 120 ns (typ.)
产品属性
- 产品编号：
TPCP8701(TE85L,F,M
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
3A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
80V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
140mV @ 20mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
400 @ 300mA，2V
- 功率 - 最大值：
1.77W
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：
PS-8
- 描述：
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
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