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HSB278S	文件：29.39 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforHighSpeedSwitching Features •Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. •CMPAKpackageissuitableforhighdensity surfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC278	文件：71.6 Kbytes Page：7 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiode Features •Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HSC278	文件：142.27 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector Features •Lowforwardvoltage,Lowcapacitance. •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HSD278	文件：142.9 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HSD278KRF-E	文件：162.98 Kbytes Page：7 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HSL278	文件：145.34 Kbytes Page：5 Pages	SiliconSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HSN278WK	文件：159.4 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialSchottkyBarrierDiodeforDetector	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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