TPCC8105(L1Q,CM)技术资料参数原装现货东芝-114ic电子网

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TPCF8105	文件：228.6 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsSiliconP-ChannelMOS(U-MOS)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8105	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCS8105	文件：270.22 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIV) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=9.6mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=23S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(m	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

更多TPCC8105(L1Q,CM)供应商更新时间2025-7-30 17:21:00