选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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TOSHIBA/东芝QFN |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
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TOSHIBA/东芝QFN |
50000 |
22+ |
只做原装正品,假一罚十,欢迎咨询 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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TOSHIBA/东芝NA/ |
5656 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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TPCC8102(TE12L,Q)中文资料Alldatasheet PDF
更多TPCC8102(TE12L,Q)功能描述:MOSFET MOSFET -30V -15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube