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TPCA8A08-H	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8A08-H	文件：1.11267 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
8A08	文件：90.02 Kbytes Page：3 Pages	AxialGeneralPurposePlasticRectifier FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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TPCA8A08-H

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

Bipolar Small-Signal Transistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

TPCA8A08-H

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Page：7 Pages

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

8A08

文件：90.02 Kbytes

Page：3 Pages

AxialGeneralPurposePlasticRectifier

FEATURES ·Lowcoatconstruction ·Lowforwardvoltagedrop ·Lowreverseleakage ·Highforwardsurgecurrentcapability ·Hightemperaturesolderingguaranteed: 260℃/10secods/.375”(9.5mm)leadlengthat5lbs(2.3kg)tension

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC

详细参数

型号：
TPCA8A08-H
功能描述：
MOSFET MOSFET 30V 38A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TPCA8A08-H供应商更新时间2025-5-12 13:30:00

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