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TPCA8128	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8128	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET (P-ch single); Drain current ID -34 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS -30 V \nGate-Source voltage VGSS -25/+20 V \n; Application Scope：Lithium-Ion secondary batteries / Power management switches\nPolarity：P-ch\nGeneration：U-MOSⅥ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：马来西亚\n	ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	Toshiba
TPCA8128	文件：247.14 Kbytes Page：7 Pages	Lithium Ion Battery Applications Power Management Switch Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC8128TA	文件：448.08 Kbytes Page：54 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Lowcurrentconsumption:UPC8128TA;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TA;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TA;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Highefficiency:UPC8128TA;PO(1dB)=-4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TA;PO	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8128TA	文件：138.91 Kbytes Page：16 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8128TB	文件：513.809 Kbytes Page：54 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.4to3.3V •Lowcurrentconsumption:UPC8128TB;ICC=2.8mATYP.@VCC=3.0V UPC8151TB;ICC=4.2mATYP.@VCC=3.0V UPC8152TB;ICC=5.6mATYP.@VCC=3.0V •Highefficiency:UPC8128TB;PO(1dB)=−4.0dBmTYP.@f=1GHz UPC8151TB;PO(1dB)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8128TB	文件：138.91 Kbytes Page：16 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERSFORCELLULAR/CORDLESSTELEPHONES DESCRIPTION ThePPC8128TA,PPC8151TAandPPC8152TAaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasbufferamplifiersforcellular/cordlesstelephones.Theseamplifierscanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductor(example:1005size)whichcannotberealizedonintern	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8128TB	文件：154.32 Kbytes Page：7 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8179TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICcanrealizelowcurrentconsumptionwithexternalchipinductorwhichcannotberealizedoninternal50ΩwidebandmatchedIC.Thislowcurrentamplifieroperateson3.0	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC8128TB	文件：1.63019 Mbytes Page：25 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC8128TB	文件：593.31 Kbytes Page：27 Pages	SILICONMMICLOWCURRENTAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS	CEL California Eastern Labs	CEL

技术参数

Polarity：
P-ch
VDSS(V)：
-30
VGSS(V)：
+20/-25
ID(A)：
-34
PD(W)：
45
Ciss(pF)：
4800
Qg(nC)：
115
=4.5V：
0.0067
=10V：
0.0048
Number of pins：
8
Surface mount package：
Y
Package name(Toshiba)：
SOP Advance
Generation：
U-MOSⅥ
Width×Length×Height(mm)：
5.0 x 6.0 x 0.95
Package Size(mm^2)：
30.00
Drive voltage type：
Logic-Level Gate Drive

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TPCA8128供应商更新时间2025-7-29 16:33:00

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