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TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (?-MOSVII) SwitchingRegulatorApplications MotorDriveApplications DC／DCConverterApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Highspeedswitching •Lowdrain-sourceON-resistance :RDS(ON)=41mΩ(typ.)(VG=10V,ID=9A) •Highforwardtransfer | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Bipolar Small-Signal Transistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Power MOSFET (N-ch single 60V VDSS 150V); Drain current ID 18 A \nPower Dissipation PD 45 W \nDrain-Source voltage VDSS 100 V \n; Polarity：N-ch\nGeneration：π-MOSⅦ\nRoHS Compatible Product(s) (#)：Available\nAssembly bases：日本 / 马来西亚\n | ToshibaToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | Toshiba | ||
Switching Regulator Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
Switching Regulator Applications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
详细参数
- 型号：
TPCA8006
- 制造商：
TOSHIBA
- 制造商全称：
Toshiba Semiconductor
- 功能描述：
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type(ヰ-MOSVII)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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