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TPC8A06-H中文资料Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)数据手册Toshiba规格书

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厂商型号

TPC8A06-H

功能描述

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:16:00

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TPC8A06-H规格书详情

描述 Description

Application Scope:Mobile equipments / Notebook PCs
Polarity:N-ch + SBD
Generation:U-MOSⅤ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available

特性 Features

Drain current ID 12 A
Power Dissipation PD 1.9 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V

技术参数

  • 型号:

    TPC8A06-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V FET 12A 1.9W 19nC 0.0129

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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