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HYD8A06LFT

FastRecoveryEpitaxialDiode

HY

HY ELECTRONIC CORP.

QDT8A06S

PLANARSTRUCTUREDSUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

QRT8A06

PLANARSTRUCTUREDSUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

QRT8A06D

PLANARSTRUCTUREDSUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

QRT8A06F

PLANARSTRUCTUREDSUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

SF8A06

GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

SF8A06F

GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier

YENYOYenyo Technology Co., Ltd.

元耀科技元耀科技股份有限公司

SF8A06F

GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

SF8A06-G

GlassPassivatedSuperFastRecoveryRectifier

COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    TPC8A06-H

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 30V FET 12A 1.9W 19nC 0.0129

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多TPC8A06-H供应商 更新时间2025-7-13 14:13:00