TPC8132中文资料Power MOSFET (P-ch single)数据手册Toshiba规格书
TPC8132规格书详情
描述 Description
Application Scope：Lithium-Ion secondary batteries / Power management switches
Polarity：P-ch
Generation：U-MOSⅥ
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：中国
特性 Features
Drain current ID -7 A
Power Dissipation PD 1.9 W
Drain-Source voltage VDSS -40 V
Gate-Source voltage VGSS -25/+20 V
技术参数
- 制造商编号
：TPC8132
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：P-ch
- VDSS(V)
：-40
- VGSS(V)
：+20/-25
- ID(A)
：-7.0
- PD(W)
：1.9
- Ciss(pF)
：1580
- Qg(nC)
：34
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=4.5V
：0.033
- RDS(ON)Max(Ω)|VGS|=10V
：0.025
- Number of pins
：8
- Surface mount package
：Y
- Package name(Toshiba)
：SOP-8
- Generation
：U-MOSⅥ
- Width×Length×Height(mm)
：4.9 x 6.0 x 1.5
- Package Size(mm^2)
：29.40
- Drive voltage type
：Logic-Level Gate Drive
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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