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TPCA8102	文件：182.48 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=4.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=60S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8102	文件：295.69 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookpcApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCA8102-H	文件：1.09067 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCC8102	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCC8102	文件：223.61 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)(VGS=-10V) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) •Enhancementmode:Vth	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8102	文件：224.05 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=24mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=14S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−20V) •Enhancementmode:Vth=−0.5to−1.2V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCF8102	文件：212.29 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCM8102	文件：223.27 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=6.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=44S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8102	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPCP8102	文件：238.24 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=13.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) •Enhancement	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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