TPC8066-H数据手册Toshiba中文资料规格书
TPC8066-H规格书详情
描述 Description
Application Scope:Mobile equipments / Notebook PCs
Polarity:N-ch
Generation:U-MOSⅦ-H
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:中国
特性 Features
Drain current ID 11 A
Power Dissipation PD 1.9 W
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
技术参数
- 型号:
TPC8066-H
- 功能描述:
MOSFET N-Ch 30V FET 11A 1.9W 1100pF
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
53250 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
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SOP8 |
3000 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOP-8 |
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TOSHIBA(东芝) |
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东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOP-8 |
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TOSHIBA/东芝 |
24+ |
SOP8 |
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TOSHIBA/东芝 |
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SOP-8 |
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询价 | ||
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24+ |
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