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TPC8026中文资料东芝数据手册PDF规格书

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厂商型号

TPC8026

功能描述

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS IV)

文件大小

207.67 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

TOSHIBA

中文名称

东芝

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-10 18:42:00

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TPC8026规格书详情

Lithium Ion Battery Applications

Portable Equipment Applications

Notebook PC Applications

• Small footprint due to small and thin package

• Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 5.1 mΩ (typ.)

• High forward transfer admittance: |Yfs| = 30 S (typ.)

• Low leakage current: IDSS = 10 μA (max) (VDS = 30 V)

• Enhancement mode: Vth = 1.3 to 2.5 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)

产品属性

  • 型号:

    TPC8026

  • 功能描述:

    MOSFET MOSFET N-Ch 30V 13A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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