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TPC70R190C	文件：917.94 Kbytes Page：12 Pages	丝印：70R190C；Package：TO-262；700V Super-junction Power MOSFET Description 700V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：917.94 Kbytes 页数：12 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPC70R190C	文件：908.33 Kbytes Page：10 Pages	丝印：70R190C；Package：TO-262；700V Super-Junction Power MOSFET 文件：908.33 Kbytes 页数：10 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPC70R190C	文件：300 bytes Page：1 Pages	SJ MOS	紫光国微
TPP70R190C	文件：908.33 Kbytes Page：10 Pages	700V Super-Junction Power MOSFET 文件：908.33 Kbytes 页数：10 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPP70R190C	文件：917.94 Kbytes Page：12 Pages	700V Super-junction Power MOSFET Description 700V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：917.94 Kbytes 页数：12 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC
TPV70R190C	文件：917.94 Kbytes Page：12 Pages	700V Super-junction Power MOSFET Description 700V Super-junction Power MOSFET Super-junction power MOSFET is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs，designed accordingtotheSJprinciple. The deep trench SJ MOSFET provide an extremely low switching, communication and conduction losses devicewithhighest robustness 文件：917.94 Kbytes 页数：12 Pages	WUMC 紫光国微	WUMC

技术参数

ID(A)：
20
RDS(on)-typ(Ω)：
0.19
RDS(on)-max(Ω)：
0.21
V(GS)th-min(V)：
2.5
V(GS)th-max(V)：
4
Ciss(pF)：
2328
Qg(nC)：
46
Package：
TO-262

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更多TPC70R190C供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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