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THN6701B

SiGeNPNTransistor

□Features -Highpowergain GP=14dBatVCE=6V,IC=400mA,f=465MHz -Highpower POUT=35dBm(3W)atVCE=6V,ICQ=50mA,f=465MHz □Applications -VHFandUHFpoweramplifier

AUK

AUK corp

THN6701B

NPNSiGeRFPOWERTRANSISTOR

□Features -Highpowergain MAG=15dB@VCE=6V,IC=400mA,f=465MHz -Highpower POUT=35dBm(3W)@VCE=6V,ICQ=50mA,f=465MHz □Applications -UHFandVHFwidebandamplifier

TACHYONICS

Tachyonics CO,. LTD

TMSC6701

FLOATINGPOINTDIGITALSIGNALPROCESSOR

TITexas Instruments

德州仪器美国德州仪器公司

TPC6701

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

XC6701

28VOperationHighSpeedVoltageRegulatorswithStand-byFunction

TOREXTorex Semiconductor

特瑞仕特瑞仕半导体株式会社

XC6701

28VOperationHighSpeedVoltageRegulatorswithStand-byFunction

TOREXTorex Semiconductor

特瑞仕特瑞仕半导体株式会社

XC6701

28VOperationHighSpeedVoltageRegulatorswithStand-byFunction

TOREXTorex Semiconductor

特瑞仕特瑞仕半导体株式会社

详细参数

  • 型号:

    TPC6701(TE85L

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT Transistor NPN DUAL 50V 1A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
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TOSHIBA/东芝
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更多TPC6701(TE85L供应商 更新时间2025-7-21 18:41:00