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TP86R203NL

Power MOSFET (N-ch single VDSS 30V)

Application Scope:High efficiency DC/DC converters / Notebook PCs / Switching regulators\nPolarity:N-ch\nGeneration:U-MOSⅧ-H\nRoHS Compatible Product(s) (#):Available\nAssembly bases:中国 Drain current ID 19 A \nPower Dissipation PD 1.9 W \nDrain-Source voltage VDSS 30 V \nGate-Source voltage VGSS +/-20 V ;

Toshiba

东芝

TP86R203NL

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.20807 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

TPA0211DGNR

SOP

TI

德州仪器

上传:深圳市讯运电子有限公司

TPA122DR

SOP-8

TPA1286U-SO1R

SOP8

技术参数

  • Polarity:

    N-ch

  • VDSS(V):

    30

  • VGSS(V):

    +/-20

  • ID(A):

    19

  • PD(W):

    1.9

  • Ciss(pF):

    1050

  • Qg(nC):

    17

  • =4.5V:

    0.0085

  • =10V:

    0.0062

  • Number of pins:

    8

  • Surface mount package:

    Y

  • Package name(Toshiba):

    SOP-8

  • Generation:

    U-MOSⅧ-H

  • Type:

    High-speed switching

  • Width×Length×Height(mm):

    4.9 x 6.0 x 1.5

  • Package Size(mm^2):

    29.40

  • Drive voltage type:

    Logic-Level Gate Drive

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