| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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TP858C12R | Schottky Barrier Diode SchottkyBarrierDiode | FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社 | Fuji | |
SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode | FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社 | Fuji | ||
SchottkyBarrierRectifier FEATURES ·MultilayerMetal-SiliconPotentialStructure. ·LowLeakageCurrent. ·HighCurrentCapability,HighEfficiency. ·HighJunctionTemperatureCapability. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
SchottkyBarrierDiode SchottkyBarrierDiode | FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社 | Fuji |
详细参数
- 型号：
TP858C12R
- 制造商：
FUJI
- 制造商全称：
Fuji Electric
- 功能描述：
Schottky Barrier Diode
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI |
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更新时间2025-7-12 13:01:00
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