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TP858C12R | Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode 文件：700.89 Kbytes 页数：6 Pages | Fuji 富士通 | Fuji | |
TP858C12R | Schottky Barrier Diode | FUJI 富士通 | FUJI | |
Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode 文件：733.57 Kbytes 页数：6 Pages | Fuji 富士通 | Fuji | ||
Schottky Barrier Rectifier FEATURES ·Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. ·Low Leakage Current. ·High Current Capability, High Efficiency. ·High Junction Temperature Capability. 文件：268.04 Kbytes 页数：2 Pages | ISC 无锡固电 | ISC | ||
Schottky Barrier Diode Schottky Barrier Diode 文件：665.63 Kbytes 页数：6 Pages | Fuji 富士通 | Fuji |
详细参数
- 型号：
TP858C12R
- 制造商：
FUJI
- 制造商全称：
Fuji Electric
- 功能描述：
Schottky Barrier Diode
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FUJI |
23+ |
TO-262 |
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全新原装正品现货,支持订货 |
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FUJI/富士电机 |
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FUJI/富士电机 |
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TO-262 |
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更新时间2025-10-4 13:01:00
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