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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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DualN-Channel60V(D-S)175째CMOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSII) LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCApplications ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=30mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=10S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA | ||
DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
DualN-Channel25-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODE | UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司 | UTC | ||
DualN-ChannelMOSFET FEATURES •Halogen-freeOptionAvailable •TrenchFET®PowerMOSFETs •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | VBSEMI | ||
DualN-Channel,20V,5.2A,PowerMOSFET | WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司 | WILLSEMI | ||
DualN-Channel,20V,5.7A,PowerMOSFET | WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司 | WILLSEMI |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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