TP65H050WS

采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET; • 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容\n• 低传导、低开关损耗\n• 低 Qrr (125nC) – 无需任何续流二极管\n• GSD 引脚布局可提升高速设计\n• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术\n• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素\n• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计\n• 快速切换，提高效率\n• 提高功率密度\n• 系统尺寸减小、重量减轻\n• BOM 成本更低\n;

The TP65H050WS 650V, 50mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.\r\n\r\n Transphorm GaN offers improved efficiency over silicon, through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.\r

TP65H050WS

650V Cascode GaN FET in TO-247

TP65H050WSQA

采用 TO-247 封装的 650V 50mΩ 氮化镓 AEC-Q101 Qualified GaN FET; • 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容\n• 低传导、低开关损耗\n• 低 Qrr (125nC) – 无需任何续流二极管\n• GSD 引脚布局可提升高速设计\n• 通过 AEC-Q101 认证的 氮化镓GaN技术\n• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素\n• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计\n• 快速切换，提高效率\n• 提高功率密度\n• 系统尺寸减小、重量减轻\n• BOM 成本更低\n;

TP65H050WSQA 650V 50mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm 氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。TP65H035WSQA 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 TO-247 内发售。\n\n

TP65H050WSQA

AEC-Q101 Qualified 650V GaN FET in TO-247 (source tab)

TP805

WYC
DIP-4

WYC