650V Cascode GaN FET in TO-247

文件：1.6392 Mbytes 页数：12 Pages

TRANSPHORM

AEC-Q101 Qualified 650V GaN FET in TO-247 (source tab)

文件：1.24492 Mbytes 页数：11 Pages

TRANSPHORM

采用 TO-247 封装的 650V 35mΩ 氮化镓GaN FET

The TP65H050WS 650V, 50mΩ Gallium Nitride (GaN) FET is a normally-off device. It combines state-of-the-art high voltage GaN HEMT and low voltage silicon MOSFET technologies—offering superior reliability and performance.\r\n\r\n Transphorm GaN offers improved efficiency over silicon, through lower • 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容\n• 低传导、低开关损耗\n• 低 Qrr (125nC) – 无需任何续流二极管\n• GSD 引脚布局可提升高速设计\n• 通过 JEDEC 认证的 氮化镓GaN技术\n• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素\n• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计\n• 快速切换，提高效率\n• 提高功率密度\n• 系统尺寸减小、重量减轻\n• BOM 成本更低;

Transphorm

采用 TO-247 封装的 650V 50mΩ 氮化镓 AEC-Q101 Qualified GaN FET

TP65H050WSQA 650V 50mΩ 氮化镓 (GaN) FET 属于常闭型器件。Transphorm 氮化镓GaN FET通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷，提供更高的效率，明显超越传统硅 (Si) 器件，具有显著优势。TP65H035WSQA 经由共源极封装配置封装在行业标准的 3 引线 TO-247 内发售。 • 易于驱动 – 与标准栅极驱动器兼容\n• 低传导、低开关损耗\n• 低 Qrr (125nC) – 无需任何续流二极管\n• GSD 引脚布局可提升高速设计\n• 通过 AEC-Q101 认证的 氮化镓GaN技术\n• 符合限制有害物质指令 (RoHS) 规范要求且不含卤素\n• 实现更高效的拓扑 – 易于实施无桥图腾柱设计\n• 快速切换，提高效率\n• 提高功率密度\n• 系统尺寸减小、重量减轻\n• BOM 成本更低;

Transphorm