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TP2522	文件：456.52 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：456.52 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2522	文件：645.61 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：645.61 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2522	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, P-Channel Enhancement-Mode, -220V, 12 Ohm This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperat Low threshold (-2.4V max.) \nHigh input impedance \nLow input capacitance (125pF max.) \nFast switching speeds \nLow on-resistance \nFree from secondary breakdown \nLow input and output leakage;	Microchip 微芯科技	Microchip
TP2522N8	文件：456.52 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：456.52 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2522ND	文件：456.52 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Low Threshold DMOS Technology These low threshold enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the 文件：456.52 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2522_07	文件：576.18 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs 文件：576.18 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2522_13	文件：645.61 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：645.61 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2522N8-G	文件：645.61 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：645.61 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2522N8-G	文件：576.18 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs 文件：576.18 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2522ND	文件：576.18 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement Mode Vertical DMOS FETs 文件：576.18 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

技术参数

BVdss min (V)：
-220
Rds (on) max (Ohms)：
12
Vgs(th) max (V)：
-2.4
CISSmax (pF)：
125
Packages：
3\\SOT-89

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TP2522供应商更新时间2026-7-28 11:04:00

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