TP2520N8中文资料P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs数据手册Microchip规格书
技术参数
- 型号：
TP2520N8
- 功能描述：
MOSFET 200V 12Ohm
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUPERT |
1016+ |
531 |
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询价 | |||
SUPERTEX |
23+ |
SOT89 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
询价 | ||
Microchip |
22+ |
TO243AA |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
SUPERTEX |
24+ |
SOT-89-3 |
4820 |
只做原装正品 |
询价 | ||
SUPERTEX |
24+ |
SOT-89 |
6000 |
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询价 | ||
SOT-89 |
23+ |
NA |
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SUPERTEX |
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SOT-89 |
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SUPERTEX |
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SOT89 |
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Microchip(微芯) |
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NA |
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MICROCHIP/微芯 |
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