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TP2414-SR	文件：1.2583 Mbytes Page：17 Pages	丝印：TP2414；Package：14-PinSOP；Low Cost, Low Noise CMOS RRIO Op-amps 文件：1.2583 Mbytes 页数：17 Pages	3PEAK 思瑞浦	3PEAK
TP2414-TR	文件：1.2583 Mbytes Page：17 Pages	丝印：TP2414；Package：14-PinTSSOP；Low Cost, Low Noise CMOS RRIO Op-amps 文件：1.2583 Mbytes 页数：17 Pages	3PEAK 思瑞浦	3PEAK
TP2431-SR	文件：1.33936 Mbytes Page：16 Pages	丝印：TP2431；Package：8-PinSOP；1.6MHz Bandwidth, Micropower Low Noise Op-amps 文件：1.33936 Mbytes 页数：16 Pages	3PEAK 思瑞浦	3PEAK
TP2432-SR	文件：1.33936 Mbytes Page：16 Pages	丝印：TP2432；Package：8-PinSOP；1.6MHz Bandwidth, Micropower Low Noise Op-amps 文件：1.33936 Mbytes 页数：16 Pages	3PEAK 思瑞浦	3PEAK
TP2432-VR	文件：1.33936 Mbytes Page：16 Pages	丝印：TP2432；Package：8-PinMSOP；1.6MHz Bandwidth, Micropower Low Noise Op-amps 文件：1.33936 Mbytes 页数：16 Pages	3PEAK 思瑞浦	3PEAK
TP2434-SR	文件：1.33936 Mbytes Page：16 Pages	丝印：TP2434；Package：14-PinSOP；1.6MHz Bandwidth, Micropower Low Noise Op-amps 文件：1.33936 Mbytes 页数：16 Pages	3PEAK 思瑞浦	3PEAK
TP2434-TR	文件：1.33936 Mbytes Page：16 Pages	丝印：TP2434；Package：14-PinTSSOP；1.6MHz Bandwidth, Micropower Low Noise Op-amps 文件：1.33936 Mbytes 页数：16 Pages	3PEAK 思瑞浦	3PEAK
TP2404ND	文件：697.33 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high inpu 文件：697.33 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2404NJ	文件：697.33 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high inpu 文件：697.33 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TP2404NW	文件：697.33 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high inpu 文件：697.33 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

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技术参数

CH：
1
VDD(V)：
2.2~5.5
GBWP(MHz)：
20
IQ(Typ.)(per CH)(mA)：
3.5
IOUT(mA)：
130
VOS(max)：
1 mV
Slew Rate(V/μs)：
19
VOS TC(µV/°C)：
1
VN@0.1Hz to 10Hz(μVPP)：
2
eN@1kHz(nV/√Hz)：
7.3
IBIAS(pA)：
0.3
Rail-Rail：
In/Out
封装：
SOT353

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TP24供应商更新时间2025-10-13 11:06:00

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