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VP2020L	文件：52.9 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel200-V(D-S)MOSFETs	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VSIB2020	文件：94.55 Kbytes Page：4 Pages	Single-PhaseSingleIn-LineBridgeRectifiers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MUR2020CTPBF	文件：168.27 Kbytes Page：8 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt® DESCRIPTION/APPLICATIONS VS-MUR2020CTPbFisthestateoftheartultrafastrecoveryrectifierspecificallydesignedwithoptimizedperformanceofforwardvoltagedropandultrafastrecoverytime.Theplanarstructureandtheplatinumdopedlifetimecontrol,guaranteethebestoverallperforman	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MURB2020CTPBF	文件：170.83 Kbytes Page：9 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt® DESCRIPTION/APPLICATIONS MUR..seriesarethestateoftheartultrafastrecoveryrectifiersspecificallydesignedwithoptimizedperformanceofforwardvoltagedropandultrafastrecoverytime. Theplanarstructureandtheplatinumdopedlifetimecontrol,guaranteethebestoverallperforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MURB2020CTPBF	文件：265.2 Kbytes Page：10 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt짰 FEATURES •Ultrafastrecoverytime •Lowforwardvoltagedrop •Lowleakagecurrent •175°Coperatingjunctiontemperature •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof260°C •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VS-MURB2020CTTRLP	文件：173.77 Kbytes Page：9 Pages	UltrafastRectifier,2x10AFREDPt DESCRIPTION/APPLICATIONS MUR..seriesarethestateoftheartultrafastrecoveryrectifiersspecificallydesignedwithoptimizedperformanceofforwardvoltagedropandultrafastrecoverytime. Theplanarstructureandtheplatinumdopedlifetimecontrol,guaranteethebestoverallperforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
WJZ2020	文件：74.55 Kbytes Page：3 Pages	BroadbandSurfaceMountMixer	WJCI WJ Communication. Inc.	WJCI
WJZ2020-PCB	文件：74.55 Kbytes Page：3 Pages	BroadbandSurfaceMountMixer	WJCI WJ Communication. Inc.	WJCI
WNM2020	文件：447.19 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,20V,0.90A,SmallSignalMOSFET	WILLSEMIWill Semiconductor Co.,Ltd.Shanghai 韦尔股份上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WNM2020	文件：1.31221 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
TP2020L
功能描述：
MOSFET 200V 20 OHM
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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