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TOS8102RDPG	文件：48.88 Kbytes Page：1 Pages	7 SEGMENT LED DISPLAY	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
TOS8102RDPR	文件：48.88 Kbytes Page：1 Pages	7SEGMENTLEDDISPLAY	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
TOS8102RDPS	文件：48.88 Kbytes Page：1 Pages	7SEGMENTLEDDISPLAY	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
TOS8102RDPY	文件：48.88 Kbytes Page：1 Pages	7SEGMENTLEDDISPLAY	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
TPC8102	文件：380.13 Kbytes Page：36 Pages	2-chDC/DCConverterIC ■DESCRIPTION TheMB39A104isa2-channelDC/DCconverterICusingpulsewidthmodulation(PWM),incorporatinganovercurrentprotectioncircuit(requiringnocurrentsenseresistor).ThisICisidealfordownconversion. Operatingathighfrequencyreducesthevalueofcoil. Thisisidealfor	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
TPC8102	文件：471.76 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(MOSVI) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCs PortableEquipmentApplications ●Smallfootprintduetosmallandthinpackage ●Lowdrain−sourceONresistance:RDS(ON)=34mΩ(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=9S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(max)(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8102	文件：182.48 Kbytes Page：4 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=4.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=60S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10µA(max	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8102	文件：295.69 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsNotebookpcApplicationsNotebookPCApplicationsPortableEquipmentApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCA8102-H	文件：1.09067 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPCC8102	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCC8102	文件：223.61 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance: RDS(ON)=14.5mΩ(typ.)(VGS=-10V) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-30V) •Enhancementmode:Vth	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8102	文件：224.05 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=24mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=14S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−20V) •Enhancementmode:Vth=−0.5to−1.2V	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCF8102	文件：212.29 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCM8102	文件：223.27 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetoasmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=6.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=44S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8102	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCP8102	文件：238.24 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconP-ChannelMOSType(U-MOS?? NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=13.5mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=24S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=-10μA(max)(VDS=-20V) •Enhancement	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCS8102	文件：392.75 Kbytes Page：7 Pages	LithiumIonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCs	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
TPCS8102	文件：783.27 Kbytes Page：7 Pages	Lithium-IonBatteryApplicationsPortableEquipmentApplicationsNotebookPCApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
UH8102	文件：138.74 Kbytes Page：7 Pages	LOWPOWERHALLEFFECTSWITCH	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPC8102	文件：147.02 Kbytes Page：20 Pages	RFAMPLIFIERICFOR150MHzTO330MHzPAGERSYSTEM DESCRIPTION µPC8102TisasiliconmonolisicintegratedcircuitdesignedasRFamplifierfor150MHzto330MHzpagersystem.Dueto1Vsupplyvoltage,thisICissuitableforlowvoltagepagersystem.Thepackageisa6pinminimoldsuitableforhigh-densitysurfacemounting. ThisICismanufa	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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详细参数

型号：
TOS8102RDPG
功能描述：
7 SEGMENT LED DISPLAY

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更多TOS8102RDPG供应商更新时间2024-9-22 16:54:00

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