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TO-252-2L(DPAK)中文资料WinMOS® W3 系列MOSFET数据手册SiGma规格书
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描述 Description
希格玛WinMOS® W3 系列MOSFET,为希格玛第二代超结高压MOSFET,采用希格玛最新的第二代超结工艺技术平台设计而成,此工艺技术基于之前的Multi-epi基础,采用深挖沟填充制程。通过利用这种先进的工艺技术和严格精准的制程控制,在保有原所有优点的同时,获得更低的Rdson、更低的Qg、更低的输入输出电容及寄生参数,可以将MOSFET的导通损耗和切换损耗降至更低,达到了世界级先进水平,使应用产品获得更高的效率、更小的体积、更轻的重量、更好的温度特性,从而提高应用产品的竞争力。
特性 Features
a)低导通电阻Rdson,降低开关损耗;
b)低栅极电荷Qg,降低切换损耗;
c)低有效输出电容,降低切换损耗;
d)产品100% 制程测试;
e)大于1000小时可靠性测试;
f)100% 无卤工艺制程;
应用 Application
·功率因素校正
·开关式电源供应器
·不间断电源供应器
·PC电源供应器
·服务器电源供应器
·通讯设备电源供应器
·LED照明
·太阳能变频器
·平板电视、显示器
·适配器
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FSC/ON |
23+ |
原包装原封□□ |
42500 |
原装进口特价供应特价,原装元器件供应,支持开发样品更多详细咨询库存 |
询价 | ||
Oasistek |
20+ |
LED |
83000 |
LED原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-220-5 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Microchip |
1940+ |
N/A |
808 |
加我qq或微信,了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
Microchip |
16 |
只做正品 |
询价 | ||||
Bivar |
22+ |
NA |
80 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-220-5 |
6000 |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
询价 | ||
Broadcom Limited |
24+ |
6000 |
只做原装,欢迎询价,量大价优 |
询价 |