首页 >TO-1724LN()>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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LowNoiseAmplifier | MINI Mini-Circuits | MINI | ||
IsolatedDriveTransmitter | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
IsolatedDriveTransmitter | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
IsolatedDriveTransmitter | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
Constantvoltagecontrol | ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团 | ROHM | ||
STM32Nucleo-64boards | etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商 | etc2 | ||
2A,18V,High-EfficiencySynchronous-RectifiedBuckConverter | UPI uPI Semiconductor Corp | UPI | ||
SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFETINDUSTRIALUSE DESCRIPTION TheµPA1724isN-ChannelMOSFieldEffectTransistordesignedforpowermanagementapplicationsofnotebookcomputersandsoon. FEATURES •2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=11.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5.0A) RDS(on)2=12.0mΩMAX.(VGS=4.0V,ID=5 | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=11.0mWMAX.(VGS=4.5V,ID=5.0A) RDS(on)2=12.0mWMAX.(VGS=4.0V,ID=5.0A) RDS(on)3=15.0mWMAX.(VGS=2.5V,ID=5.0A) ·LowCiss:Ciss=1850pFTYP. ·Buil | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET INDUSTRIALUSE FEATURES ·2.5-Vgatedriveandlowon-resistance RDS(on)1=11.0mWMAX.(VGS=4.5V,ID=5.0A) RDS(on)2=12.0mWMAX.(VGS=4.0V,ID=5.0A) RDS(on)3=15.0mWMAX.(VGS=2.5V,ID=5.0A) ·LowCiss:Ciss=1850pFTYP. ·Buil | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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