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266	文件：121.23 Kbytes Page：1 Pages	Holder/No.266/Holder/No.268	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
266X	文件：68.76 Kbytes Page：2 Pages	3M??LappingFilmAluminumOxide254X	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
AH266	文件：215.54 Kbytes Page：7 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH266	文件：165.13 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageHallEffectLatch GeneralDescription AH266isanintegratedHallsensorwithoutputdriversdesignedforelectroniccommutationofbrush-lessDCmotorapplications.Thedeviceincludesanon-chipHallvoltagegeneratorformagneticsensing,acomparatorthatamplifiestheHallvoltage,andaSchmitttriggertopr	ANACHIP 易亨易亨电子股份有限公司	ANACHIP
AH266	文件：189.79 Kbytes Page：11 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AH266	文件：58.99 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AH266	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH266K-PG-B-A	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH266K-PG-B-B	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH266K-PL-B-A	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AH266K-PL-B-B	文件：195.54 Kbytes Page：8 Pages	HIGHVOLTAGEHALLEFFECTLATCH	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AN266	文件：1.02828 Mbytes Page：8 Pages	VCXOTUNINGSLOPE,STABILITY,ANDABSOLUTEPULLRANGE	SILABSSilicon Laboratories 芯科科技深圳芯科科技有限公司	SILABS
AOB266L	文件：315.4 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOB266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOB266L	文件：1.43838 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT266L	文件：289.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT266L	文件：1.09919 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOT266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF266L	文件：347.54 Kbytes Page：7 Pages	60VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOT266L&AOB266L&AOTF266LusesTrenchMOSFETtechnologythatisuniquelyoptimizedtoprovidethemostefficienthighfrequencyswitchingperformance.BothconductionandswitchingpowerlossesareminimizedduetoanextremelylowcombinationofRDS(ON),Cissa	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOTF266L	文件：1.31534 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER

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产品属性

产品编号：
TNY266P
制造商：
Power Integrations
类别：
集成电路（IC） > AC DC 转换器，离线开关
系列：
TinySwitch®-II
包装：
管件
输出隔离：
隔离
内部开关：
是
电压 - 击穿：
700V
拓扑：
反激
占空比：
65%
频率 - 开关：
132kHz
故障保护：
限流，开环，超温，短路
控制特性：
EN
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
封装/外壳：
8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引线
供应商器件封装：
8-PDIP-B
安装类型：
通孔
描述：
IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DIP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TNY266P供应商更新时间2024-5-21 18:27:00

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