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TP2520	文件：467.91 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP2520	文件：456.52 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs LowThresholdDMOSTechnology Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertexswell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththe	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TSL2520	文件：1.4034 Mbytes Page：69 Pages	HighlySensitiveAmbientLightSensor Features •Configurable,highsensitivity •Programmablegainandintegrationtime •4096xdynamicrangebygainadjustmentonly •1mluxdetectableilluminance •TailoredALSresponse •UV/IRblockingfilterforClearchannel •ALSinterruptwiththresholds •Flicker-immuneALSsensingwit	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
TZ2520A	文件：391.69 Kbytes Page：8 Pages	GlassSMD3.2x2.530MHzCrystalUnit Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount3.2mmx2.5mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
UMUR2520	文件：116.89 Kbytes Page：3 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIER	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
UPA2520	文件：355.87 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2520isN-channelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconverterandpowermanagement applicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=13.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=10A) RDS(on)2=17mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=5.0A) •Buil	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
V2520SM	文件：103.66 Kbytes Page：1 Pages	UltraLowphasenoiseVCOwithbuilt-inbufferamplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
V2520TO	文件：103.66 Kbytes Page：1 Pages	UltraLowphasenoiseVCOwithbuilt-inbufferamplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
VDA2520CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDA2520NTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

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