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TN5415A	文件：300 bytes Page：1 Pages	PNP High Voltage Amplifier This device is designed for use as high voltage drivers requiring collector currents to 100 mA. Sourced from Process 76. See MPSA92 for characteristics.	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
TN5415A	文件：25.83 Kbytes Page：2 Pages	PNP High Voltage Amplifier This device is designed for use as high voltage drivers requiring collector currents to 100 mA. Sourced from Process 76. See MPSA92 for characteristics. 文件：25.83 Kbytes 页数：2 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
TN5415A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 200V 0.1A TO226-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
UZ5415	文件：450.3 Kbytes Page：1 Pages	Electrical Specifications at 25oC Zener Diodes Electrical Specifications at 25°C 文件：450.3 Kbytes 页数：1 Pages	AMMSEMI	AMMSEMI
VBA5415	文件：1.08665 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Motor Drive 文件：1.08665 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA5415	文件：1.06639 Mbytes Page：14 Pages	N- and P-Channel 40V (D-S) MOSFET 文件：1.06639 Mbytes 页数：14 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

产品属性

产品编号：
TN5415A
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
2.5V @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
50µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
30 @ 50mA，10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-226-3
描述：
TRANS PNP 200V 0.1A TO226-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多TN5415A供应商更新时间2026-1-27 23:00:00

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