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TN2640_V01	文件：1.18873 Mbytes Page：20 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features •2VMaximumLowThreshold •HighInputImpedance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeeds •LowOn-Resistance •FreefromSecondaryBreakdown •LowInputandOutputLeakage Applications •Logic-LevelInterfaces(IdealforTTLandCMOS) •Solid-StateRelays •Battery-Ope	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip

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TN2640_V01

文件：1.18873 Mbytes

Page：20 Pages

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

Features •2VMaximumLowThreshold •HighInputImpedance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeeds •LowOn-Resistance •FreefromSecondaryBreakdown •LowInputandOutputLeakage Applications •Logic-LevelInterfaces(IdealforTTLandCMOS) •Solid-StateRelays •Battery-Ope

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

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更多TN2640_V01供应商更新时间2025-5-22 9:48:00

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