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TN2124	文件：32.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：32.82 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2124	文件：474.93 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：474.93 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TN2124	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, N-Channel Enhancement-Mode, 240V, 15 Ohm This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature Free from secondary breakdown \n Low power drive requirement \nEase of paralleling \nLow CISS and fast switching speeds \nExcellent thermal stability \nIntegral source-drain diode \nHigh input impedance and high gain;	Microchip 微芯科技	Microchip
TN2124K1	文件：32.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：32.82 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2124N8	文件：32.82 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan 文件：32.82 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2124_07	文件：570.06 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：570.06 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2124_13	文件：730.81 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：730.81 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2124K1G	文件：474.93 Kbytes Page：14 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：474.93 Kbytes 页数：14 Pages	Microchip 微芯科技	Microchip
TN2124K1-G	文件：570.06 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：570.06 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN2124K1-G	文件：730.81 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：730.81 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

技术参数

BVdss min (V)：
240
Rds (on) max (Ohms)：
15
CISSmax (pF)：
50
Vgs(th) max (V)：
2.0
Packages：
3\\SOT-23

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