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N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu | SUTEX Supertex, Inc | SUTEX | ||
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features •2VMaximumLowThreshold •HighInputImpedance •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeeds •LowOn-Resistance •FreefromSecondaryBreakdown •LowInputandOutputLeakage Applications •Logic-LevelInterfaces(IdealforTTLandCMOS) •Solid-StateRelays •Battery-Ope | MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司 | Microchip | ||
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs LowThresholdDMOSTechnology Theselowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorsutilizeaverticalDMOSstructureandSupertexswell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesdeviceswiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththe | SUTEX Supertex, Inc | SUTEX | ||
N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs GeneralDescription Thislowthresholdenhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-provensilicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsandwiththehighinpu | SUTEX Supertex, Inc | SUTEX | ||
SLIM POLARIZED RELAY FEATURES •SmallsizeforminimalPCboardmountingrequirements •Smallheaderareamakeshigherdensitymountingpossible •Highsensitivity:140mWnominaloperatingpower(singlesidestable3-12Vtype) •Surgevoltagewithstand:1500VFCCPart68 •Sealedconstructionallows | NAISNais(Matsushita Electric Works) 松下电器松下电器机电(中国)有限公司 | NAIS | ||
1-MBIT (128K x 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY Intel’s28F001BX-Band28F001BX-Tcombinethecost-effectivenessofIntelstandardflashmemorywithfeaturesthatsimplifywriteandallowblockerase.Thesedevicesaidthesystemdesignerbycombiningthefunctionsofseveralcomponentsintoone,makingbootblockflashaninnovativealternativ | IntelIntel Corporation 英特尔 | Intel | ||
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28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY Intel’s28F020CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F020addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewritten:inatestsocket;inaPROM-programmer | IntelIntel Corporation 英特尔 | Intel |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
- 封装形式：
- 极限工作电压：
60V
- 最大电流允许值：
0.001A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
3DK30C,
- 最大耗散功率：
2W
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
60
- htest：
999900
- atest：
0.001
- wtest：
2
产品属性
- 产品编号：
TN2
- 制造商：
Cinch Connectivity Solutions Trompeter
- 类别：
连接器，互连器件 > 同轴连接器（RF）适配器
- 包装：
散装
- 适配器类型：
插头至插孔
- 转换类型：
相同系列
- 适配器系列：
TRB 双轴/三轴转 TRB 双轴/三轴，双
- 中心公母：
母型至公型
- 转换自（适配器端）：
TRB 双轴/三轴插孔，母插口
- 转换至（适配器端）：
TRB 双轴/三轴插头，公插针（2）
- 样式：
U 形
- 安装类型：
自由悬挂
- 紧固类型：
卡销锁定，卡销锁定
- 中心触头镀层：
镀金
- 特性：
三焊片
- 描述：
CONN ADAPT PLUG-JCK TRB TWIN/TRI
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUTEX |
12+ |
SOT89 |
15000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
询价 | ||
Supertex |
24+/25+ |
SOT-23 |
460 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | ||
panason |
2020+ |
100 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | |||
松下 |
23+ |
继电器 |
9896 |
询价 | |||
SUPERTEX |
00+/01+ |
NULL |
1914 |
全新原装100真实现货供应 |
询价 | ||
ST |
17+ |
TO-251 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
PANASONIC |
24+ |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | |||
24+ |
SOP-8 |
7500 |
十年品牌!原装现货!!! |
询价 | |||
PANASONI.. |
24+ |
DIP-10 |
3500 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
SANYO |
24+ |
SDIP-28 |
140 |
询价 |
