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TN0620N3-G	文件：458.44 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsa	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TN0620N3	文件：27.71 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs GeneralDescription Thislowthreshold,enhancement-mode(normally-off)transistorutilizesaverticalDMOSstructureandSupertex’swell-proven,silicon-gatemanufacturingprocess.Thiscombinationproducesadevicewiththepowerhandlingcapabilitiesofbipolartransistorsa	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP0620N3	文件：477.09 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFETs	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX
TP0620N3G	文件：312.7 Kbytes Page：14 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
TP0620N3-G	文件：632.2 Kbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeVerticalDMOSFET	SUTEX Supertex, Inc	SUTEX

详细参数

型号：
TN0620N3-G
功能描述：
MOSFET 200V 6Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多TN0620N3-G供应商更新时间2025-7-29 16:12:00

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