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TN0610	文件：460.54 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input i 文件：460.54 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0610	文件：31.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：31.44 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0610	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET, N-Channel Enhancement-Mode, 100V, 1.5 Ohm This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input impedance and positive temperature Low threshold - 2.0V max. \nHigh input impedance \nLow input capacitance - 100pF typical \nFast switching speeds \nLow on-resistance \nFree from secondary breakdown \nLow input and output leakage;	Microchip 微芯科技	Microchip
TN0610N3-G	文件：460.54 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input i 文件：460.54 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0610N3-G-P003	文件：460.54 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET General Description This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and the high input i 文件：460.54 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0610_13	文件：626.2 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：626.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0610N3	文件：31.44 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs 文件：31.44 Kbytes 页数：4 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0610N3-G	文件：626.2 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：626.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0610N3-GP002	文件：626.2 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：626.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX
TN0610N3-GP003	文件：626.2 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET 文件：626.2 Kbytes 页数：5 Pages	SUTEX	SUTEX

技术参数

BVdss min (V)：
100
Rds (on) max (Ohms)：
1.5
CISSmax (pF)：
150
Vgs(th) max (V)：
2.0
Packages：
3\\TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	TN0610	雷达	24+	TO-92	2000		询价
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更多TN0610供应商更新时间2025-10-6 13:30:00

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