首页 >TMS2705ADR>规格书列表
| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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HEXFETPOWERMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor, | IRF International Rectifier | IRF | ||
HIGHSPEEDPOWERDRIVER | TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI1 | ||
HighSpeedPowerDriver | TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司 | TI | ||
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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2702GRisN-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforDC/DCconvertersandpowermanagement applicationsofnotebookcomputers. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=9.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=7.0A) RDS(on)2=14.8mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=7.0A) •L | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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