全极性微功耗磁阻开关

【微功耗高频计数磁阻开关】TMR2101是⼀款集成了隧道磁阻（TMR）技术和CMOS技术的全极磁开关传感器。具有高精度、高速、低功耗、高灵敏度等特性，适用于工业类电⼦、消费类电⼦等磁场开关检测。芯片内部电路包含电压发生器、比较器、数字逻辑控制模块、阈值修调模块和CMOS输出电路。TMR2101具有宽工作电压范围和宽工作温度范围。该系列芯片可以提供多种开关工作频率和封装形式以适配各种用。TMR2101是⼀款全极型磁场检测开关 ,可以以极低的电流消耗，提供全极磁响应。它检测平行于芯片封装表面的磁场，当磁场强度大于工作点（BOP）时，开关输出低电平；当磁场强度小于释放点（ BRP）时，开关输出高电平 （1）超低功耗\n\n- 50Hz版本：160nA@3.0V\n\n- 1000Hz版本：3.4uA@3.0V\n\n（2）全极性微功耗磁传感器\n\n（3）宽工作电压范围：1.8-5.5V\n\n（4）卓越的ESD性能：HBM 8kv\n\n（5）TMR+CMOS 工艺\n\n（6）封装：TO-92S/UA、SOT-23/SO\n\n（7）工作温度：-40~125°C\n\n磁阻开关;

Hallwee

霍尔微

Large Dynamic Range TMR linear sensor

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AEC

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input imped

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SUTEX

N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input imped

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SUTEX

10BASE-T/100BASE-TX/100BASE-FX LOW-POWER PHYSICAL-LAYER INTERFACE

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TI

德州仪器