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HVC369B	文件：235.15 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •UltrasmallFlatLeadPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HVD369B	文件：33.21 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ●LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ●Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ●Lowseriesresistance.(r=0.5Ωmax) ●SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVD369B	文件：35.71 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD369B	文件：149.8 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •LowcapacitanceandtobeusableatGHz. •Highcapacitanceratio.(n=2.3min) •Lowseriesresistance.(rs=0.5Ωmax) •SupersmallFlatLeadPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD369B	文件：44.16 Kbytes Page：1 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features ●LowcapacitanceandtobeusableatGHz. ●Highcapacitanceratio.(n=2.3min) ●Lowseriesresistance.(r=0.5Ωmax) ●SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	ZHAOXINGWEI Zhaoxingwei Electronics ., Ltd	ZHAOXINGWEI
KHP369	文件：317.66 Kbytes Page：3 Pages	Toolsandharnessingmachines	LUMBERGLumberg 隆堡	LUMBERG
LM369	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LM369BH	文件：262.98 Kbytes Page：14 Pages	PrecisionVoltageReference	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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