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VDD411LNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD411MCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD411MNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD411SCTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VDD411SNTA	文件：1.32054 Mbytes Page：20 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetectorwithDelaycircuit GENERALDESCRIPTIONS TheVDDseriesaredelaycircuitbuilt-involtagedetectorswithlow voltage,lowpowerconsumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthe detectionvoltageisdetectedbasedonavoltagereferenceofhigh accuracythatthetemperaturecoefficientiscontrolled.Thedetect	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM
VLF411QML-SP	文件：1.7932 Mbytes Page：19 Pages	LowOffset,LowDriftJFETInputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
WDNY-411-B	文件：110.6 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
WDNY-411-B/E	文件：110.6 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
WDNY-411-B/Q	文件：110.6 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
WDNY-411-BSLASHE	文件：110.6 Kbytes Page：3 Pages	DualOutputPlug-inSignalConditionersW-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

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产品属性

产品编号：
TMP411EDGKR
制造商：
Texas Instruments
类别：
传感器，变送器 > 温度传感器 - 模拟和数字输出
包装：
卷带（TR）
传感器类型：
数字，本地/远程
感应温度 - 本地：
-55°C ~ 150°C
感应温度 - 远程：
-55°C ~ 150°C
输出类型：
SMBus
电压 - 供电：
2.7V ~ 5.5V
分辨率：
12 b
特性：
单触发，输出开关，可编程极限，可编程分辨率，关断模式
精度 - 最高（最低）：
±1°C（±2.5°C）本地，±1°C（±5°C）远程
测试条件：
15°C ~ 85°C（-40°C ~ 125°C）本地，15°C ~ 75°C（-40°C ~ 125°C）远程
工作温度：
-40°C ~ 125°C
描述：
SENSOR DIGITAL -55C-150C 8VSSOP

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